题目内容
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[单选题]
半导体功函数指的是（）
A.将电子从价带激发到真空能级所需的能量
B.将电子从价带激发到导带所需的能量
C.将电子从费米激发到真空能级所需的能量
D.将电子从导带激发到真空能级所需的能量
答案
C、将电子从费米激发到真空能级所需的能量
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A.将电子从价带激发到真空能级所需的能量
B.将电子从价带激发到导带所需的能量
C.将电子从费米激发到真空能级所需的能量
D.将电子从导带激发到真空能级所需的能量
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一个p型半导体，受主密度NA=1.04×1016/cm3，该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV，电子亲和势χ=3.4eV，在室温下测得它的功函数W=3.9eV，求此时这块半导体的表面势VS=？设室温下价带有效状态密度Nv=1.04×1019/cm3。
A.越不容易受
B.越容易受
C.根本不受
某半导体晶体价带顶附近能量E可表示为：E(k)=Emax-1026k2(erg)，现将其中一波矢k=107／cm的电子移走，试求此电子留下的空穴的有效质量，波矢及速度。
A.空穴为多子，电子为少子
B.能带图中费米能级靠近价带顶
C.光照时内部不可能产生本征吸收
D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
