对于P型半导体来说,以下说法正确的是()。
A.电子为多子
B.空穴为少子
C.在能带图中施主能级靠近于导带底
D.在能带图中受主能级靠近于价带顶
A.电子为多子
B.空穴为少子
C.在能带图中施主能级靠近于导带底
D.在能带图中受主能级靠近于价带顶
A.空穴为多子,电子为少子
B.能带图中费米能级靠近价带顶
C.光照时内部不可能产生本征吸收
D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成
以下哪种掺杂半导体为n型?哪种为p型? (1)As掺入Ge; (2)In掺杂的Ge; (3)InSb中,Si占据Sb的位置; (4)GaN中,Mg占据Ga的位置。
A.本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体
B.本征半导体导电能力很弱
C.本征半导体硅或者锗中参入五价元素(比如磷),则变为N型半导体
D.在P型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴则是少数载流子
A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动
A.上,积累,下,耗尽或反型
B.上,耗尽或反型,上,积累
C.上,积累,上,耗尽或反型
D.下,积累,下,耗尽或反型
以下说法正确的是_______。
A.P型半导体带正电
B.N型半导体带正电
C.PN结为电的中性体
D.PN结存在内电场,用导线短接时,有电流产生
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通
D.PN结加反向电压时,反向电流值很大,PN结截止