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[填空题]
对于N型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向（）移动；对于P型半导体，当温度升高时，费米能级向（）移动。
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A.上，积累，下，耗尽或反型
B.上，耗尽或反型，上，积累
C.上，积累，上，耗尽或反型
D.下，积累，下，耗尽或反型
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.无外界作用
B.有确定的载流子浓度
C.有统一的费米能级
D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E.导带和价带之间没有统一的费米能级
F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子
A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
