题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。
A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
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A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
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A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.电子是多数栽流子，空穴是少数栽流子
B.空穴是多数载流了，电子是少数载流子
C.电荷是多数栽流子，空穴是少数栽流子
D.空穴是多数裁流子，电荷是少数栽流子
