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[主观题]
以下哪种掺杂半导体为n型？哪种为p型？ （1)As掺入Ge； （2)In掺杂的Ge； （3)InSb中，Si
以下哪种掺杂半导体为n型？哪种为p型？ (1)As掺入Ge； (2)In掺杂的Ge； (3)InSb中，Si占据Sb的位置； (4)GaN中，Mg占据Ga的位置。
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以下哪种掺杂半导体为n型？哪种为p型？ (1)As掺入Ge； (2)In掺杂的Ge； (3)InSb中，Si占据Sb的位置； (4)GaN中，Mg占据Ga的位置。
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A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
