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[判断题]

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体,后者又分为n£­型半导体和p£­型半导体。()

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第1题
本征半导体是(),导电能力弱。

A.纯净半导体

B.杂质半导体

C.普通半导体

D.掺杂半导体

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第2题
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第3题
在本征半导体中掺入微量五价元素形成()型半导体,掺入微量三价元素形成()型半导体。

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第4题
N型半导体又叫()型半导体,它是由本征半导体材料掺入少量的某种化合价为()价的元素制成的,其中多数载流子为(),少数载流子为()。

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第5题
在本征半导体中掺入()构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第6题
在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。()
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第7题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第8题
在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第9题
本征半导体的晶体结构为正四面体。()
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第10题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第11题
各种半导体器件是利用半导体的()特性制造成器件。

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.单向导电性

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