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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm－3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除（如反向偏

某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)？

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更多“某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm－3，少子寿命τ…”相关的问题

第1题

对于N型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向（）移动；对于P型半导体，当温度升高时，费米能级向（）移动。

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第2题

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体，后者又分为n£型半导体和p£型半导体。（)

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第3题

关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。

A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度

B.少数载流子由本征激发形成

C.多子浓度远大于少子浓度

D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定

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第4题

()不是集电极的特点。

A.面积较大

B.收集载流子

C.与发射极是同类型的杂质半导体

D.掺杂浓度高

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第5题

()不是发射极的特点。

A.面枳较大

B.发射载流子

C.与集电极是同类型的杂质半导体

D.掺杂浓度高

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第6题

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质液度和体积

D.晶体缺陥和大小

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第7题

当硅中掺杂以施主杂质(v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

当硅中掺杂以施主杂质（v族元素：磷、砷、锑等)为主时，以（）导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质（Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以（）导电为主，成为P型硅。

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第8题

计算含有施主杂质浓度为N_D=9x10¹⁵cm^-3,及受主杂质浓度为1. 1x10¹⁶cm³,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第9题

说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。

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第10题

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第11题

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入（）。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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