首页 > 继续教育

题目内容（请给出正确答案）

[填空题]

P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的…”相关的问题

第1题

在P型半导体中电子是多子，空穴是少子。()

点击查看答案

第2题

在P型半导体中()是多子，()是少子。

点击查看答案

第3题

N型半导体的多子就是自由电子，少子就是空穴。（)

点击查看答案

第4题

本征半导体掺入微量三价元素形成是（）型半导体，其多子为（）。

点击查看答案

第5题

在N型半导体中()是多子，()是少子。

点击查看答案

第6题

在N型半导体中空穴是多子，电子是少子。()

点击查看答案

第7题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

点击查看答案

第8题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

点击查看答案

第9题

温度升高，杂质半导体中多子的浓度也会增加（）

点击查看答案

第10题

关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。

A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度

B.少数载流子由本征激发形成

C.多子浓度远大于少子浓度

D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定

点击查看答案

第11题

如何确定半导体氧化物为n型或p型？

点击查看答案

长沙图香大数据有限公司版权所有 ©2024

湘ICP备20011576号-2 营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）