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[判断题]

在N型半导体中空穴是多子，电子是少子。()

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第1题

N型半导体的多子就是自由电子，少子就是空穴。（)

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第2题

在N型半导体中()是多子，()是少子。

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第3题

在P型半导体中()是多子，()是少子。

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第4题

二极管中的反向电流是由()。

A.空穴形成的

B.电子形成的

C.多子形成的

D.少子形成的

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第5题

二极管的正向电流是由()。

A.空穴形成的

B.电子形成的

C.多子形成的

D.少子形成的

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第6题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第7题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第8题

在N型半导体中多数载流子是（）

A.空穴

B.自由电子

C.电子空穴对

D.原子核

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第9题

对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

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第10题

N型半导体导电是从（)导电为主。A、电子B、空穴C、电压D 、电流

N型半导体导电是从()导电为主。

A、电子

B、空穴

C、电压

D 、电流

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第11题

在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（)

A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

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