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[填空题]

在P型半导体中()是多子,()是少子。

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第1题
N型半导体的多子就是自由电子,少子就是空穴。()
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第2题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第3题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第4题
在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。()
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第5题
P型半导体是在纯净的半导体中掺入()价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第6题
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第7题
PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第8题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第9题
在本征半导体中掺入()构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第10题
P型半导体中,()是多数载流子;()是少数载流子。N型半导体中,()是多数载流子;()是少数载流子。
P型半导体中,()是多数载流子;()是少数载流子。N型半导体中,()是多数载流子;()是少数载流子。

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第11题
‍肖特基势垒是下面哪种接触形成的?()‍

A.金属-氧化物-半导体接触中,半导体中靠近氧化物的区域

B.金属-氧化物接触中,氧化物中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-半导体接触中,半导体中靠近金属的区域

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