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[填空题]

在N型半导体中()是多子，()是少子。

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更多“在N型半导体中()是多子，()是少子。”相关的问题

第1题

N型半导体的多子就是自由电子，少子就是空穴。（)

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第2题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第3题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第4题

PN结两端反向偏压时、难以进行（)。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第5题

温度升高，杂质半导体中多子的浓度也会增加（）

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第6题

考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响，以下说法中不正确的是（)。

A.工作在线性放大区时，集电极电流略有增加

B.基区有效宽度减小

C.基区少子浓度梯度增大

D.输出特性曲线左移

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第7题

在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。（)

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第8题

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

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第9题

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入（）。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第10题

P型半导体是在纯净的半导体中掺入（)价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第11题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)

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