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[主观题]

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

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第1题

在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第2题

在本征半导体中掺入（)构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第3题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第4题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第5题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第6题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第7题

随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为？（)

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

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第8题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)

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第9题

处于热平衡状态的半导体，应满足以下条件或符合以下特征：（)。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第10题

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】

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第11题

在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（)

A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

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