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[单选题]

对于p型半导体形成的MOS电容结构,当金属端外加负电压时,表面能带向弯曲,表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲,表面为状态()。

A.上,积累,下,耗尽或反型

B.上,耗尽或反型,上,积累

C.上,积累,上,耗尽或反型

D.下,积累,下,耗尽或反型

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第1题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触

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第2题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第4题
发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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第5题
关于两种半导体带电的说法,正确的是()。

A.P型半导体主要靠空穴导电,所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电,所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第6题
p型半导体的导电载流子只有空穴。()
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第7题
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】

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第8题
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

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第9题
低频时MOS电容的极小值略大于高频时的极小值。()
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第10题
若测量MOS电容的频率较高,电容将达到最小值后再增大至Cox。()
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第11题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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