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一个p型半导体，受主密度NA=1.04×1016/cm3，该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV，电子亲和势χ=3.4eV，在室温下测得它的功函数W=3.9eV，求此时这块半导体的表面势VS=？设室温下价带有效状态密度Nv=1.04×1019/cm3。
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受主浓度NA=1017/cm3的p型锗，室温下功函数为多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Pt接触时形成阻挡层还是反阻挡层？锗的电子亲合能取4.13eV。设WAl=4.18eV，WAu=5.20eV，Wpt=5.43eV。
有锗pn结，设P区的掺杂浓度为NA，n区掺杂浓度为ND，已知ND=102NA，而NA相当于108个锗原子中有一个受主原子，计算室温下接触电位差VD。若NA浓度保持不变，而ND增加102倍，试求接触电位差的改变。
P型半导体是在本征硅中掺入(A.大量，B.微量)3价元素组成的，N型半导体是在本征硅中掺入(A.大量，B.微量)5价元素组成的，因此，其多数载流子密度相对于硅原子密度而言是(A.相当的，B.微乎其微的)。
在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5x1015cm-3，受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？
