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有锗pn结，设P区的掺杂浓度为NA，n区掺杂浓度为ND，已知ND=102NA，而NA相当于108个锗原子中有一个受主原子，计算室温下接触电位差VD。若NA浓度保持不变，而ND增加102倍，试求接触电位差的改变。
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有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。
(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N区和P区的形成。
(2)如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么?
