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第3题
在1.4.10题中设并分别把电势参考点选在无限远和轴线上谋求空见备区的电势及两柱面之间的心势
在1.4.10题中设
并分别把电势参考点选在无限远和轴线上谋求空见备区的电势及两柱面之间的心势差的绝对值ΔV，并大致画出V—r曲线。
第4题
对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
第9题
肖特基势垒是下面哪种接触形成的？（)
A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域
第10题
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的()向N区运动。
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（)向N区运动。
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