题目内容
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[主观题]
有硅pn结,p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3;p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V
有硅pn结,p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3;p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s),n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s);设两区内非平衡载流子的寿命为lμs,pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时,
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