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[填空题]

在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动。

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第1题
在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的什么向P区运动,P区的什么向N区运动?
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第2题
在足够能量的光照耀太阳电池外表时,在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动,P区的()向N区运动。
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第3题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

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第4题
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。
在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

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第5题
标准晶体硅太阳电池组件玻璃采用()玻璃(),厚度(),透光率达()以上。钢化玻璃抗冲击性能实验中,按
标准晶体硅太阳电池组件玻璃采用()玻璃(),厚度(),透光率达()以上。钢化玻璃抗冲击性能实验中,按

照国标检测,用()g钢球,从高度()处自由落下,冲击玻璃板的中心点附近,玻璃不破裂,保证玻璃的抗冲击性,提高产品在恶劣环境中的安全系数。

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第6题
直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时,会产生施主效应,使得N型硅晶体的电阻率下降,P型硅晶体的电
阻率上升。施主效应严重时,能使P型硅晶体转化为N型,这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况,有不同的性质,一种是在350~500℃左右温度范围生成的,称为();一种是在550~800℃左右温度范围形成的,称为()。

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第7题
下列关于DR的叙述正确的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加

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第8题
目前,国产晶体硅的电池的效率在量()左右,国外同类产品在12—14%左右。
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第9题
关于通信电源系统,以下描述正确的是()。

A.为了防止爆炸,装有阀控密封蓄电池的电池室不宜加装空调

B.太阳电池方阵的各子阵应根据太阳电池能量大小自动接入或部分切除

C.在雨后进行接地电阻测量,测量数值不准确

D.当通信电源系统通过电话线进行远程通信时,通信电缆可能引入雷电

E.同一厂家、同一容量、不同型号的蓄电池组可以并联使用

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第10题
硅基太阳电池有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以与非晶硅太阳电池等。通常情况其光电转换效率最高的是()太阳电池,光电转换效率最低的是()太阳电池。
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第11题
小龙选用绿豆发豆芽,下列条件中不需要提供的是()

A.充足的空气

B.足够的光照

C.一定的水分

D.适宜的温度

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