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[单选题]

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

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第1题
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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第2题
电子亲和势,是指电子从()到真空能级的能级差。

A. 导带底能级

B. 价带顶能级

C. 费米能级

D. 施主能级

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第3题
导带底与价带顶之间的能量区域称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第4题
半导体中施主能级的位置位于()中。

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

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第5题
能量最高的是价电子所填充的能带,称为()。

A.价带

B.禁带

C.导带

D.高能能带

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第6题
会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于()。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第7题
载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第8题
本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第9题
在间接带隙半导体中,电子由价带顶跃迁到导带底时,需要同时吸收或发射(),以补偿电子准动量的变化。
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第10题
本征激发的结果是?()

A.产生一组电子——空穴对

B.仅产生一个导带的电子

C.仅产生一个价带的空穴

D.不产生电子和空穴

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第11题
下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是()。

A.在绝缘体中,电子填满了所有的能带

B.在0K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的

C.半导体中禁带宽度比较大

D.绝缘体的禁带宽度比较小

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