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第5题
Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？（)
A.[100]及其等价方向;k=0处
B.k=0处;k=0处
C.[111]及其等价方向;k=0处
D.[100]及其等价方向;[111]及其等价方向
E.[110]及其等价方向;k=0处
第6题
处于热平衡状态的半导体，应满足以下条件或符合以下特征：（)。
A.无外界作用
B.有确定的载流子浓度
C.有统一的费米能级
D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E.导带和价带之间没有统一的费米能级
F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子
第10题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子
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B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
