某半导体晶体价带顶附近能量E可表示为:E(k)=Emax-1026k2(erg),现将其中一波矢k=107/cm的电子移走
某半导体晶体价带顶附近能量E可表示为:E(k)=Emax-1026k2(erg),现将其中一波矢k=107/cm的电子移走,试求此电子留下的空穴的有效质量,波矢及速度。
某半导体晶体价带顶附近能量E可表示为:E(k)=Emax-1026k2(erg),现将其中一波矢k=107/cm的电子移走,试求此电子留下的空穴的有效质量,波矢及速度。
A.古代的陶瓷、砖瓦、现代的玻璃、水泥等,都是硅酸盐产品
B.硅晶体的导电性介于导体和绝缘体之间,是一种重要的半导体材料
C.硅酸、二氧化硅、硅酸钠及硅酸盐产品均属于电解质
D.青花瓷胎体的原料为高岭土[Al2Si2O5(OH)4],若以氧化物形式可表示为Al2O3·2SiO2·2H2O
A.物体从单一热源吸收的热量可全部用于做功
B.能量耗散说明与热有关的宏观过程在能量转化时具有方向性
C.扩散现象在气体、液体中能发生,但在固体中不能发生
D.某气体的摩尔体积为V,每个分子的体积为V0,则阿伏加德罗常数可表示为NA=eq \f(V,V0)
E.空中的小雨滴呈球形是水的表面张力作用的结果
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.无外界作用
B.有确定的载流子浓度
C.有统一的费米能级
D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E.导带和价带之间没有统一的费米能级
F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子
A.[100]及其等价方向;k=0处
B.k=0处;k=0处
C.[111]及其等价方向;k=0处
D.[100]及其等价方向;[111]及其等价方向
E.[110]及其等价方向;k=0处
A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器
B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成
C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号
D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数
E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加