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[判断题]

PIN中的I表示本征半导体。()

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第1题

本征半导体的晶体结构为正四面体。（)

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第2题

在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。（)

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第3题

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

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第4题

在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（）。

A.电

B.热

C.磁

D.掺杂

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第5题

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入（）。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第6题

在本征半导体中掺入（)构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第7题

在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第8题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第9题

在本征半导体中掺入微量五价元素形成（）型半导体，掺入微量三价元素形成（）型半导体。

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第10题

元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体，后者又分为n£型半导体和p£型半导体。（)

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第11题

光接收机中常用的光电检测器是（)

A.PIN光电二极管和半导体激光二极管LD

B.PIN光电二极管和半导体激光二极管LD

C.半导体发光二极管LED和APD雪崩光电二极管

D.PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管

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