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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在本征半导体中掺入()构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第1题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第2题
在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第4题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第5题
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

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第6题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触

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第7题
随着温度的升高,非简并n型半导体电导率的变化过程为?()

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)

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第8题
发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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第9题
关于两种半导体带电的说法,正确的是()。

A.P型半导体主要靠空穴导电,所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电,所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第10题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第11题
p型半导体的导电载流子只有空穴。()
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