题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。
A.提高半导体的导电能力
B.降低半导体的导电能力
C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件
D.产生PN结
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A.提高半导体的导电能力
B.降低半导体的导电能力
C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件
D.产生PN结
A.多数载流子基本上由掺杂形成,所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质,则产生杂质补偿作用,杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
P型半导体是在本征硅中掺入(A.大量,B.微量)3价元素组成的,N型半导体是在本征硅中掺入(A.大量,B.微量)5价元素组成的,因此,其多数载流子密度相对于硅原子密度而言是(A.相当的,B.微乎其微的)。