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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入（）。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第1题

在本征半导体中掺入微量五价元素形成（）型半导体，掺入微量三价元素形成（）型半导体。

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第2题

在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。（)

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第3题

在本征半导体中掺入（)构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第4题

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

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第5题

N型半导体又叫（)型半导体，它是由本征半导体材料掺入少量的某种化合价为（)价的元素制成的，其中多数载流子为（)，少数载流子为（)。

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第6题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第7题

P型半导体是在纯净的半导体中掺入（)价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第8题

在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第9题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第10题

一般说来，本征半导体的导电能力()，当掺入某些适当微量元素后其导电能力()。

A.很强/更强

B.很强/降低

C.很弱/提高

D.很弱/更弱

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第11题

在N型半导体中掺入微量的（)等元素，在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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