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[单选题]
某半导体材料的表面能带结构测定，可以选择下列方法中的（）。
A.红外光谱
B.透射电镜
C.某射线衍射
D.紫外光电子能谱
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A.在两种材料的交界面处，能带弯曲不连续，形成“凹口”和“尖峰”
B.能带在交界面处，有一个突变(导带阶和价带阶)
C.能带的变化是连续的
D.能带的变化与两种材料的费米能级无关
A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带
B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带
A.在绝缘体中，电子填满了所有的能带
B.在0K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
C.半导体中禁带宽度比较大
D.绝缘体的禁带宽度比较小
A.易制备和提纯，较为稳定
B.一般具有较深的颜色(在可见区内的吸收系数大于1051mol-1.cm-1);
C.分子平面性使其固态结构有自我取向的趋势
D.分子固体的半导体性能显著
E.通过适当的掺杂可以改变其导电性
F.其基态和激发态与适当环境可发生氧化还原反应
