首页 > 继续教育
题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

异质结能带结构的特点包括:()。

A.在两种材料的交界面处,能带弯曲不连续,形成“凹口”和“尖峰”

B.能带在交界面处,有一个突变(导带阶和价带阶)

C.能带的变化是连续的

D.能带的变化与两种材料的费米能级无关

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“异质结能带结构的特点包括:()。”相关的问题
第1题
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。

点击查看答案
第2题
在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()
点击查看答案
第3题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

点击查看答案
第4题
对异质结I-V特性的分析,以下说法正确的是?()

A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

点击查看答案
第5题
利用两种半导体的异质结串联太阳能电池,称为()。
利用两种半导体的异质结串联太阳能电池,称为()。

点击查看答案
第6题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

点击查看答案
第7题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

点击查看答案
第8题
关于影响目标市场策略选择的因素中说法中正确的是()

A.我国的中小企业比较适合采用集中性市场策略

B.汽油、钢铁、原粮等产品在性能、特点上差异性很小适宜采用无差异性营销策略

C.市场上顾客对产品的需求相近即为异质市场适宜采用差异性或集中性策略

D.在产品生命周期的成熟期,最好采用差异性市场策略和集中性策略

点击查看答案
第9题
影响创业者能力的因素包括()。

A.天赋

B.胆识和想象力

C.洞察力和异质性知识

D.各项都对

点击查看答案
第10题
能带理论的三大近似包括:()。

A.单电子近似

B.平均场近似

C.近自由电子近似

D.绝热近似

点击查看答案
第11题
竞争对手是指对本企业产品和业务能进行营销竞争、抢夺市场和消费者的其他企业,这里指的业务竞争不仅包括同质竞争,也包括异质竞争。()
点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改