A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
A.目前核电站对核能的利用方式分为核聚变和核裂变两种
B.氢气是一种可实现二氧化碳零排放的能源
C.太阳能电池的工作原理是光化学转换
D.可燃冰是一种稀缺的能源资源
A.易制备和提纯,较为稳定
B.一般具有较深的颜色(在可见区内的吸收系数大于1051mol-1.cm-1);
C.分子平面性使其固态结构有自我取向的趋势
D.分子固体的半导体性能显著
E.通过适当的掺杂可以改变其导电性
F.其基态和激发态与适当环境可发生氧化还原反应
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结
A.一个
B.两个
C.三个
D.四个