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[主观题]

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第1题
由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性()
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第2题
PN结是构成各种半导体器件的基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有单向导电性

C.具有改变电压特性

D.具有増强内电场特性

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第3题
半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第4题
关于PN结,下列()说法是错误的。

A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成

B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来

C.PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通

D.PN结加反向电压时,反向电流值很大,PN结截止

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第5题
PN结不具备()。

A.单向导电性

B.反向击穿性

C.电容效应

D.电压放大作用

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第6题
关于半导体二极管的主要参数,错误的叙述是__()

A.最大整流电流是管子长期运行时允许通过的最大正向电流有效值

B.正向压降是二极管正向导通后的压降,一般情况下硅管约为0.7V

C.反向电流是指管子加反向电压未被击穿时的电流,这个值越小则管子的单向导电性越好

D.极间电容是二极管PN结存在的扩散电容和势垒电容之和,是反映PN结电容效应的参数

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第7题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第8题
PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
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第9题
PN结的基本特性是单向导电性()
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第10题
PN结正向偏置时(),反向偏置时(),这种特性称为PN结的单向导电性。
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