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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第1题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第2题
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷,可形成()

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

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第3题
只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起,就构成一个PN结。()
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第4题
高频电疗仪主要由高频震荡电路板和少量的电容电阻及()器件构成。A.绝缘体B.导体C.半导体D.变压器

高频电疗仪主要由高频震荡电路板和少量的电容电阻及()器件构成。

A.绝缘体

B.导体

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D.变压器

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第6题
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第7题
发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

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D.PN结

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第8题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第9题
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第10题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第11题
各种半导体器件是利用半导体的()特性制造成器件。

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.单向导电性

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