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第1题
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
A.上，积累，下，耗尽或反型
B.上，耗尽或反型，上，积累
C.上，积累，上，耗尽或反型
D.下，积累，下，耗尽或反型
第2题
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的()被排斥，留下()形成()。
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（)被排斥，留下（)形成（)。
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第6题
对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
第7题
在双电层结构中在两相间可以自由转移，并决定矿物表面电荷(或电位)的离子称为( );溶液中起电平衡作用的反号离子称：( )。
在双电层结构中在两相间可以自由转移，并决定矿物表面电荷（或电位)的离子称为（);溶液中起电平衡作用的反号离子称：（)。
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第8题
通常在一定温度下我们把半导体的电阻看作是线性的和不变化的，但是在半导体上通过高频电流时，
电流会倾向于在导体的表面流动，其电流密度会随进入导体的深度而呈指数下降，该现象被称为()。
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