题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。
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A.上,积累,下,耗尽或反型
B.上,耗尽或反型,上,积累
C.上,积累,上,耗尽或反型
D.下,积累,下,耗尽或反型
A.催化作用
B.保护作用
C.冷却作用
D.加热作用
A.U控制图
B.Xbar-S控制图
C.np控制图
D.p控制图