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[主观题]

在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。

在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。

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第1题
对于p型半导体形成的MOS电容结构,当金属端外加负电压时,表面能带向弯曲,表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲,表面为状态()。

A.上,积累,下,耗尽或反型

B.上,耗尽或反型,上,积累

C.上,积累,上,耗尽或反型

D.下,积累,下,耗尽或反型

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第2题
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第3题
判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第4题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第6题
关于两种半导体带电的说法,正确的是()。

A.P型半导体主要靠空穴导电,所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电,所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第7题
药皮焊条手工电弧焊原理是在涂有药皮的金属电极与焊件之间施加电压,由于电极强烈放电导致气体电离,产生焊接电弧,高温下致使焊条和焊件局部熔化,形成气体、熔渣、熔池,气体和熔渣对熔池起()。

A.催化作用

B.保护作用

C.冷却作用

D.加热作用

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第8题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第9题
pH值为3.5时碱基上的氨基解离,而三个磷酸基团中只有一个磷酸解离,所以DNA分子带正电,在电场中向负极泳动。()
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第10题
电位越负的金属(负电性金属),如铝、镁等,越容易在阴极上镀出来;而电位越正的金属(正电性金属),如金、银、铜等,则越不容易镀出来。()
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第11题
项目小组每隔两小时收集4件B型车门,准备监控B型车门喷涂瑕疵数,且以知4件产品上的瑕疵平均数在5个以上,他们可以考虑使用以下哪种控制图()。

A.U控制图

B.Xbar-S控制图

C.np控制图

D.p控制图

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