题目内容
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[单选题]
判断一个MOS管是否导通的关键是（)与阈值电压作比较。
A.衬底与源间电压
B.漏源电压
C.栅漏电压
D.栅源电压
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A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
A.初始值
B.额定值
C.标准值
D.最大值
A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
B.二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
C.二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
D.二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
