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[填空题]

根据能带理论,当半导体获得电子时,能带向()弯曲,获得空穴时,能带向()弯曲。

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第1题
对于p型半导体形成的MOS电容结构,当金属端外加负电压时,表面能带向弯曲,表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲,表面为状态()。

A.上,积累,下,耗尽或反型

B.上,耗尽或反型,上,积累

C.上,积累,上,耗尽或反型

D.下,积累,下,耗尽或反型

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第2题
下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是()。

A.在绝缘体中,电子填满了所有的能带

B.在0K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的

C.半导体中禁带宽度比较大

D.绝缘体的禁带宽度比较小

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第3题
认为当人们从事与自己态度不一致的行为后,往往能获得另外的一些知识和经验从而转变态度的态度形成与改变理论是()。

A.平衡理论

B.认知不协调理论

C.刺激-学习理论

D.反射理论

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第4题
化能异养微生物在以有机物为基质的生物氧化中,以氧化物中的氧、(),以发酵的中间产物为最终电子时称为发酵。
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第5题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第6题
使用万用表应注意()

A.在测量电流、电压时,不能带电转换量程

B.测量电阻时,不能带(电)压测量

C.选择量程时先选最大量程,根据测量数据再选择合适量程,尽量使被测值接近所选量程

D.使用完毕,须将转换开关置OFF档

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第7题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第8题
若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。

A.正,下弯,n型

B.负,上弯,n型

C.负,上弯,p型

D.负,下弯,p型

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第9题
对于测量等值盐密和灰密的污秽收集方法,下列说法正确的是()

A.为避免污秽损失,拆卸和搬运绝缘子时不应接触绝缘子表面

B.表面污秽取样之前,容器、量筒等应清洗干净,确保无任何污秽

C.取样时,尽可能带清洁的医用手套

D.单片绝缘子所用蒸馏水水量为300ml

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第10题
根据传感器工作原理,有毒气体检测仪分为()。

A.电化学式

B.半导体式

C.固体热导式

D.红外吸收式

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第11题
根据有效市场理论,下列属于证券市场外在效率衡量因素的有()。

A.证券价格能随着信息变化自由变动

B.证券市场上的交易者能以最短时间和最低成本达成交易

C.证券市场的服务设施完备

D.与证券有关的信息充分披露,每个投资者能在相同的时间获得等量等质的信息

E.证券市场的组织机构健全

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