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第1题
关于PN结说法正确的是（）。
A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
第4题
在半导体被光照射、产生光传导现象时，如果由光产生的载流子在不同位置具有不均一性，或者由于pn结产生了内部载流子的话，就会因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡，从而产生电力，这一现象叫（）。
A.丹倍效应
B.光电效应
C.PEM效应
D.光电传导效应
第5题
当pn结()向连接时， 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变()，允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
当pn结（)向连接时， 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变（)，允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
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()向连接时，阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展()，pn结上只允许较小的()电流通过。
第7题
当：PN结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。当PN结外加反向电压时，扩散电流_
________漂移电流，耗尽层_______。 a．大于 b．小于 c．变宽 d．变窄
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