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[填空题]

PN结中内电场阻止()的扩散,推动()的漂移运动。

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第1题
关于PN结说法正确的是()。

A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动

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第2题
PN结的内电场对载流子的扩散运动起()作用,对漂移运动起()作用。

A.阻碍

B.促进

C.促进

D.阻碍

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第3题
PN结反向偏置时,PN结的内电场被()。
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第4题

PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()。

 

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第5题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第6题
PN结反向偏置时,PN结的内电场()PN具有()特性。
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第7题
PN结是构成各种半导体器件的基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有单向导电性

C.具有改变电压特性

D.具有増强内电场特性

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第8题
半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础,其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第9题
在N型材料的PN结光伏效应中,光生电动势与内建电场的方向()。
在N型材料的PN结光伏效应中,光生电动势与内建电场的方向()。

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第10题
详细分析PN结的自建电场、缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。
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第11题
求出硅缓变PN结空间电荷区电场分布及其宽度的函数表达式。
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