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[单选题]

PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第1题
已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第2题
当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时,则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第3题
晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

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第4题
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第5题
常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第6题
砌块的搭砌长度不满足要求时,应在水平缝设置不小于()的钢筋拉结条,两端应越过该垂直缝300MM。A

砌块的搭砌长度不满足要求时,应在水平缝设置不小于()的钢筋拉结条,两端应越过该垂直缝300MM。

A.244

B.2Φ4

C.3Φ4

D.3Φ6

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第7题
砌块的搭砌长度,不满足要求时,应在水平灰缝设置不小于2Φ4的钢筋的拉结条,两端应超过该垂直缝,其
长度不得小于()。

A.300MM

B.500MM

C.1000MM

D.1200MM

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第8题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第9题
用万用表测量二极管两端,正向电阻越小,反向电阻越大,说明此二极管极性()

A.越好

B.越高

C.越差

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第10题
组合砖砌体竖向钢筋保护层应符合下列规定()

A.符合设计要求

B.距砖砌体表面不小于5mm

C.距砖砌体表面不小于8mm

D.拉结筋两端应设弯钩,拉结筋及箍筋的位置应正确

E.拉结筋两端不用设弯钩,拉结筋及箍筋的位置应正确

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第11题
《钢筋混凝土用钢第2部分:热轧带肋钢筋》GB1499.2—2007标准规定,反向弯曲试验时,经正向弯曲试验后的试样,应在(),经自然冷却后再进行反向弯曲。

A.100℃温度下保温不少于60min;

B.100℃温度下保温不少于30min;

C.300℃温度下保温不少于30min;

D.300℃温度下保温不少于60min。

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