题目内容
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[主观题]
当:PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。当PN结外加反向电压时,扩散电流_
________漂移电流,耗尽层_______。 a.大于 b.小于 c.变宽 d.变窄
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已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果说明伏安特性的特点。
有硅pn结,p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3;p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s),n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s);设两区内非平衡载流子的寿命为lμs,pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时,