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[主观题]
已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果
已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果说明伏安特性的特点。
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已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果说明伏安特性的特点。
A.发射结正向偏置,集电结正向偏置
B.发射结反向偏置,集电结反向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
A.发射结正向偏置,集电结正向偏置
B.发射结反向偏置,集电结反向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
A.发射结正向偏置,集电结正向偏置
B.发射结反向偏置,集电结反向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置