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[主观题]

已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果

已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时,试求室温下流过PN结的电流I?由计算结果说明伏安特性的特点。

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第1题
在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较差。()
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第2题
常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第3题
锗管一般为面接触型,它的PN结面积很大,允许通过的电流较小,但其高频性能好,一般用于高频检波及小功率整流电路中,也用于数字电路的开关元件。()
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第4题
锗材料PN结的结压降为()。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第5题
锗pn结的正向导通电压大约为()V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第6题
PN结正向偏压时的电流为(),反向偏压时的电流为()。
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第7题
工作于截止区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。

A.发射结正向偏置,集电结正向偏置

B.发射结反向偏置,集电结反向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

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第8题
工作于放大区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。

A.发射结正向偏置,集电结正向偏置

B.发射结反向偏置,集电结反向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

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第9题
工作于饱和区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。

A.发射结正向偏置,集电结正向偏置

B.发射结反向偏置,集电结反向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

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第10题
PN结的反向恢复时间包括()和()。
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第11题

PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()。

 

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