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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

使用化学机械抛光进行粗抛时抛光区域温度一般控制在()。

A.38-50℃

B.20-50℃

C.20-30℃

D.20-38℃

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第1题
对抛磨工艺的评价,分为对称性和抛光两个方面进行评价。()
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第2题
影响CMP质量的因素有()。

A.抛光压力

B.抛光液PH值

C.转速

D.抛光区域温度

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第3题
判断下列事件哪些是不可能事件()

A.在地面上向上抛一个石头,石头下落

B.在标准大气压下且温度低于0°C时,冰融化

C.某人射击一-次,中靶

D.在常温下,铁熔化

E.如果a>b,那么a-b>0

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第4题
粗蜡抛光时,一定要将2500#砂纸痕抛光彻底。()
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第5题
抛光分为()抛光和()抛光两种。
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第6题
判断下列事件哪些是必然事件()

A.在地面上向上抛一个石头,石头下落

B.在标准大气压下且温度低于0°C时,冰融化

C.某人射击一-次,中靶

D.若x>0,则x>3

E.如果a>b,那么a-b>0

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第7题
以下关于抛釉砖说法错误的是()

A.抛釉砖工艺上分透明釉和透明凸状花釉,由马可波罗发明的透明凸状花釉逼真度更高,工艺门槛更高

B.集抛光砖和仿古砖优点于一体,釉面如抛光砖光滑亮洁,同时釉面花色如仿古砖般图案丰富,色彩厚重绚丽

C.是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉,它是施于仿古砖的最后一道釉料

D.抛釉砖防污效果和耐磨程度比抛光砖差

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第8题
以下哪个项目属于抛光段不良()

A.刀纹

B.抛光痕

C.黑点

D.过抛

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第9题
牙用抛光刷主要用在牙齿抛光用,不同的牙齿位置用不同抛光刷抛光牙齿()
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第10题
CMP工艺的三大关键因素是()。

A.抛光机

B.抛光液

C.抛光盘

D.抛光垫

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第11题
用集合的形式表示下列随机试验的样本空间与随机事件A:(1)抛一枚骰子,观察向上一面的点数;事件A
用集合的形式表示下列随机试验的样本空间与随机事件A:(1)抛一枚骰子,观察向上一面的点数;事件A

用集合的形式表示下列随机试验的样本空间与随机事件A:

(1)抛一枚骰子,观察向上一面的点数;事件A表示“出现偶数点”;

(2)对目标进行射击,击中后便停止射击,观察射击的次数;事件A表示“射击次数不超过5次”;

(3)用T0,T1表示某地最低、最高温度限,x,y表示一昼夜内该地可能出现的最低和最高温度,记录一昼夜内该地的最高温度和最低温度;事件A表示“一昼夜内该地的温差为10℃”。

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