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[多选题]

CMP工艺的三大关键因素是()。

A.抛光机

B.抛光液

C.抛光盘

D.抛光垫

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第1题
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺,主要应用于()方面。

A.大马士革工艺

B.层间介质(ILD)CMP

C.浅沟槽隔离(STI)CMP

D.钨的CMP

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第2题
CMP是一种减薄层材料的工艺并能去除表面缺陷的平坦化技术。()
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第3题
在CMP工艺中,抛光液粘度增加,则流动性减小,传热性降低,抛光液分布不均匀,易造成材料去除率不均匀,降低表面质量。()
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第4题
对抛磨工艺的评价,分为对称性和抛光两个方面进行评价。()
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第5题
变更管理:各部门及生产厂涉及原材料、加工现场布局、工艺及设备等关键因素变更时,按变更评审流程执行()
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第6题
要使制作出的蛋糕组织绵软、膨松、结构均匀,配方及工艺中的关键因素是什么?为什么?
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第7题
以下关于抛釉砖说法错误的是()

A.抛釉砖工艺上分透明釉和透明凸状花釉,由马可波罗发明的透明凸状花釉逼真度更高,工艺门槛更高

B.集抛光砖和仿古砖优点于一体,釉面如抛光砖光滑亮洁,同时釉面花色如仿古砖般图案丰富,色彩厚重绚丽

C.是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉,它是施于仿古砖的最后一道釉料

D.抛釉砖防污效果和耐磨程度比抛光砖差

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第8题
卓越绩效评价应首先了解组织的经营环境和所面临的战略挑战,识别组织的()。

A.关键工艺

B.关键因素

C.关键过程

D.关键环节

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第9题
杰出绩效评判应第一了解组织的经营环境和所面临的战略挑战,识别组织的()。

A.关键过程

B.关键因素

C.关键环节

D.关键工艺

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第10题
班组三大规程是指工艺技术规程、安全操作规程、设备维护保养规程。()
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第11题
注射成型的三大工艺条件为:()、()、()。
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