如果结果不匹配，请 
更多“结型场效应管工作时，栅一源电压必须使PN结正偏。()”相关的问题
第2题
以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
第4题
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,试画出电路传输
电路如图LPS4-6（a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,试画出电路传输
点击查看答案
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
第5题
场效应管共源极电路如图题4.11.3所示，其中VDD=20V，Rg1=300千欧，Rg2=15千欧，，Rg3
=2M，Rd=10千欧，R=2千欧，Cb1=1μF，Cb2=1μF，RL=100千欧，。试运用SPICE进行如下分析计算：(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz，幅值为10mV的正弦信号，观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益，电流增益，输入电阻及输出电阻。
点击查看答案
第7题
对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍
第9题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V，Rg=500千欧，RL=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0。
点击查看答案
第11题
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
