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[单选题]
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
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C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
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电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
两种改进型电容三点式振荡电路如图题10.7.3ab所示，试回答下列问题：
(1) 画出图a的交通流路，若Cb很大，C1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2) 画出图b的交流电路，若Cb很大，CC1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3) 定性说明杂散电容对两种电路振荡频率的影响。
A.频率按钮
B.波形按钮
C.偏移(偏置)按钮
D.Channel(通道)按钮
高频振荡器中采用的石英晶体具有()效应，当外加电压的频率与石英切片的固有谐振频率()时，机械振荡的振幅就剧烈增加，通过石英切片的有功分量也随之大大增加，从而引起共振。
(1)试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件;
(2)求出电路的振荡频率;
(3)画出uo1和uo2的波形图,要求表示出它们的相位关系,并分别求出它们的峰值.
(1)增大R1(2)减小R2(3)增大C2(4)增大VDD(5)加大输入脉冲宽度
