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第1题
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2，λn=0。PMOS管的参数为：VTP= -1V，KP=25μA/V，λP=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第2题
如图3-3-18所示抛物线三铰拱,拱轴线方程为y=（2x/25)（20x),截面D的弯矩MD等于（)kN·m,（)侧受
如图3-3-18所示抛物线三铰拱,拱轴线方程为y=(2x/25)(20x),截面D的弯矩MD等于()kN·m,()侧受拉.
第4题
OTL电路如图P9.12所示.（1)为了使得最大不失真输出电压幅值最大,静态时T2和T4管的发射
OTL电路如图P9.12所示.
(1)为了使得最大不失真输出电压幅值最大,静态时T2和T4管的发射极电位应为多少？若不合适,则一般应调节哪个元件参数？
(2)若T2和T4管的饱和压降|UCES|=3V,输入电压足够大,则电路的最大输出功率Pom和效率ƞ各为多少？
(3)T2和T4管的ICM、U(BR)CEO和PCM应如何选择？
第5题
已知结构的弯矩图（AD段、CE段曲线均为二次抛物线)如图3-3-41所示,试推定并绘制作用于结构上的荷
已知结构的弯矩图(AD段、CE段曲线均为二次抛物线)如图3-3-41所示,试推定并绘制作用于结构上的荷载,再作出剪力图,并标明各杆的轴力值.设各杆内部无自相平衡或与支座反力平衡的轴向荷载.
第6题
半径为R的偏心轮绕轴O以匀角速度w转动，推动导板沿铅直轨道运动，如图10-3a所示。导板顶部放有1质量
为m的物块4，设偏心距OC=e，开始时OC沿水平线。求：(1)物块对导板的最大压力：(2)使物块不离开导板的ω最大值。
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第7题
图3-3-12所示结构,杆DE的轴力为（)kN,结点E弯矩为（)kN·m（以下侧受拉为正).
图3-3-12所示结构,杆DE的轴力为()kN,结点E弯矩为()kN·m(以下侧受拉为正).
第8题
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=R≇
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
第9题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V，Rg=500千欧，RL=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0。
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第10题
如图5.14(a)所示，一根半径为R的无限长载流直导体，在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔，其轴
如图5.14（a)所示，一根半径为R的无限长载流直导体，在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔，其轴
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与直导体的轴平行，两轴相距为d。导体中有电流I沿轴向流过，并均匀分布在横截面上。试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度，你能证明空腔中的磁场是匀强磁场吗？
