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[主观题]

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²，λ_n=0。PMOS管的参数为：V_TP= -1V，K_P=25μA/V，λ_P=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值见图示。

电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA

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第1题

电路如图题2-18所示。已知R_s=600Ω，β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻r_i

电路如图题2-18所示。已知R_s=600Ω，β=50。（1)画出该电路的微变等效电路;（2)求输入电阻r_i

电路如图题2-18所示。已知R_s=600Ω，β=50。

(1)画出该电路的微变等效电路;

(2)求输入电阻r_i和输出电阻r_o;

(3)当时u_s=15mV，求输出电压u_o。

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第2题

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：(1)Q点;(2)输入电阻R_i;(3)电压增益A_es

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：（1)Q点;（2)输入电阻R_i;（3)电压增益A_{es1=v₀₁/v_N和A_es2=v₀₂/v_N;(4)输出电阻R₀₁和R₀₂。}

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第3题

已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的g_m=1mS，设r_dm＞ R_d。(1)画出电路的小信

已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的g_m=1mS，设r_dm＞ R_d。（1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益A_F;(3)求放大器的输入电阻R_i。

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第4题

电路如图题3.5.1所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压V_z=8V，设v_i=15sinwtV，试绘出v₀

1和v₀₂的波形。

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第5题

如图题5.4.2所示的偏置电路中，热敏电阻R_t具有负温度系数，问能否起到稳定静态工作点的作用？

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第6题

电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，V_DD=V_SS=5V，R_g=100千欧，R

电路如图题4.5.5（主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，V_DD=V_SS=5V，R_g=100千欧，R_{d=10千欧，R_L=1千欧，R_s1=1千欧。场效应管参数为V_TS=1V，K_m=1mA/V₂，λ=0。试求(1)输入电阻R_i和输出电阻R₀;(2)电流增益A_is=i₀/i_s。}

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第7题

单管放大电路如图题5.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号

单管放大电路如图题5.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。（1)估算Q点;（2)画出简化H参数小信号

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻r_be;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻，计算A_e=v₀/v_i及A_en=v₀/v_s。

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第8题

已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5（a)、（b)、（c)、（d)所示，试问应选择哪些电路才能实现

已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示，试问应选择哪些电路才能实现如图所示的输入、输出波形对应关系？

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第9题

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

为V_DD=V_SS=5V，R_g=500千欧，R_L=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益A_g=v₀/v₁和输出电阻R₀。

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第10题

电压放大电路模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示，设输出开路电压增益A_ro=10。试分别计

电压放大电路模型如图题1.4.1（主教材图1.4.2a)所示，设输出开路电压增益A_ro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益A_ro=v₀/v_n：

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第11题

某放大电路中A_m的对数幅频特性如图题6.1.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|A_eM|，上

某放大电路中A_m的对数幅频特性如图题6.1.1所示。（1)试求该电路的中频电压增益|A_eM|，上

限频率f_H，下限频率f_L;(2)当输入信号的频率f=f_L或f=f_H时，该电路实际增益是多少分贝？

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