题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列对于芯片抽空描述错误的是()。

A.工作前请先空压一下，使加热机构预热，达到最佳封口状态

B.封口时请务必确认封口的平整，避免封口有折皱

C.封口完成后用手拉一下封口，确认封口是否完全封合

D.芯片装入铝箔袋后直接抽真空即可

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更多“下列对于芯片抽空描述错误的是()。”相关的问题

第1题

关于离心泵不上量的原因分析，下列描述错误的是（）

A.叶轮流道部分堵塞

B.密封环径间隙过小

C.入口阀太小

D.产生汽蚀抽空

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第2题

以下对于Nova7系列描述错误的是（）

A.全系都有4000mAh大电池

B.全系搭配40W快充

C.Nova7、Nova7se使用麒麟820 5GSoC

D.全系都是集成5G芯片

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第3题

下列哪些对进行流量计吹扫时的描述是错误的（）

A.需关闭机台特气总手法

B.特气管道内特气需先进行抽空

C.吹扫要进行多次

D.直接吹扫

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第4题

DVFS描述错误的是（）

A．对于同一芯片，频率越高，需要的电压也越高B．4核项目的策略基本相同，差异点在于频点的个数和大小不同C．基本的调频策略和4核唯一不同点是，6或8个核分成2个cluster，每个cluster调节各自的核，每个cluster调频策略和4核相同D．系统内调频是根据系统的温度

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第5题

对于IDM业务模式描述不准确的是（)

A.集芯片设计、芯片制造、芯片封装等多个产业链环节与一身

B.早期大多数集成电路企业采用的模式

C.目前仅有少数企业维持这一模式

D.是一种不可持续的模式

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第6题

对于Balong5000芯片的描述以下正确的有哪些项（)。

A.首款单芯片多模(2G/3G/4G/5G)的5GModem

B.首款同时支持NSA/SA芯片

C.首款基于R14V2X的5G芯片

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第7题

对麒麟820描述错误的是（）

A.5G SOC集成芯片

B.7nm工艺

C.支持NSA,SA双模

D.非集成芯片

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第8题

关于Reno3 5G芯片描述错误的是（）

A.支持SANSA双模5G

B.7nm制程工艺

C.天玑1000L

D.外挂5G芯片

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第9题

关于NE路由器的描述，错误的一项是（)

A.抗震9级

B.高可靠:硬件BFD+FRR

C.正交架构

D.自研芯片

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第10题

关于麒麟985 5G SoC描述错误的是（）

A.该芯片性能与骁龙855不相上下

B.该芯片采用7nm工艺

C.该芯片GPU架构为G77

D.该芯片架构升级到了A77

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第11题

关于电子元器件封装缩写词，描述错误的是（)。

A.DIP：双列直插式封装

B.LCCC：有引线陶瓷芯片载体

C.SOT：小外形晶体管

D.PLCC：塑料封装有引线芯片载体

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