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[判断题]

外延层的晶向与衬底的晶向相同。()

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第1题

硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

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第2题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。（）

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第3题

倒角的目的是：()、()、()。

A.防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂

B.防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动

C.增加晶圆边缘的平坦度

D.去除晶圆表面微量的损伤层

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第4题

异质外延对衬底和外延层有什么要求？

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第5题

小角度晶界晶粒的位向差小于（）度。

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第6题

从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、100和（)。

A.101

B.110

C.001

D.011

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第7题

（)是手性分子的典型液晶晶型。

A.向列型

B.近晶A型

C.近晶C型

D.胆甾型

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第8题

孪生是金属在()作用下发生的，孪晶的两部分晶体形成()的位向关系。

孪生是金属在（)作用下发生的，孪晶的两部分晶体形成（)的位向关系。

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第9题

如果杂离子与构晶离子的电荷相同、离子半径相近，则易于产生下列那种后沉淀？（)

A.后沉淀

B.表面吸附

C.混晶

D.吸留

E.包藏

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第10题

由A（高熔点)和B（低熔点)组元形成包晶相图，发生包晶反应L+α→β时，（)。

A.B组元由α向β扩散

B.B组元由L向β扩散

C.A组元由L向β扩散

D.无法判断

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第11题

切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、()、()、()。

A.平行度

B.直径

C.翘度

D.厚度

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