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更多“在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形…”相关的问题
第1题
以下关于N型半导体的说法正确的是（）。
A.电子是多数栽流子，空穴是少数栽流子
B.空穴是多数载流了，电子是少数载流子
C.电荷是多数栽流子，空穴是少数栽流子
D.空穴是多数裁流子，电荷是少数栽流子
第2题
关于PN结说法正确的是（）。
A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
第5题
晶体二极管PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场（），由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态
A.当存在外加热能时
B.当存在外加电压时
C.当不存在外加电压时
D.当不存在外加热能时
第6题
异质结的超注入现象是指？（)
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
