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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

晶体二极管PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场(),由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态

A.当存在外加热能时

B.当存在外加电压时

C.当不存在外加电压时

D.当不存在外加热能时

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C、当不存在外加电压时

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第1题
晶体二极管就是根据PN结的单向导电性制成的,因此晶体二极管具有单向导电性。()
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第2题
晶体二极管实际上是把两个PN结两端加上引线的半导体器件。()
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第3题
晶闸管的控制极和阳极之间是一个pn结,其判别方法同晶体二极管极性判别方法一样。()
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第4题
半导体按导电类型不同,分成P型半导体和N型半导体。晶体二极管实际上就是一个PN结。()
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第5题
晶闸管的控制级与阳极之间是一个PN结,其判别方法同晶体二极管判别方法一样。()
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第6题
当晶体二极管的PN结导通后,参加导电的是()

A.少数载流子

B.多数载流子

C.既有少数载流子又有多数载流子

D.不能确定

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第7题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结()。

A.反向漏电流小,反向击穿电压低

B.反向漏电流小,反向击穿电压高

C.反向漏电流大,反向击穿电压高

D.反向漏电流大,反向击穿电压低

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第8题
关于PN结说法正确的是()。

A.利用杂质补偿原理,在P型和N型半导体的界面上形成PN结

B.在PN结的界面上发生载流子的扩散;由于复台作用,界面上载流子被耗尽

C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区

D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反,最终阻止载流子的进一步移动

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第9题
已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第10题
PN结的单向导电性:()当PN结两端加上正向电压时,PN结处于()状态此时形成()的电流,呈现的电阻阻值()当PN结两端加上反向电压时,PN结处于()状态此时形成反向的电流,呈现的电阻阻值()。
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第11题
扩散的主要目的是()

A.去除机械层

B.形成PN结

C.去除PN结

D.收集载流子

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