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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结()。

A.反向漏电流小，反向击穿电压低

B.反向漏电流小，反向击穿电压高

C.反向漏电流大，反向击穿电压高

D.反向漏电流大，反向击穿电压低

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第1题

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为N_a=10¹⁶cm^-3,Nd=1.5X10¹⁷cm^-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第2题

PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。（）

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第3题

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。（)

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第4题

BD7整流二极管实际工作的直流电流若超过最小整流电流,PN结就会升温,以致过热烧毁。（)

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第5题

晶体三极管的PNP和NPN型两种结构相似均具有三个PN结，形成两个区域。（)

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第6题

PN结中，P区电势（)于N区电势。

A.高

B.低

C.等

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第7题

当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于（）状态。

A.饱和

B.放大

C.导通

D.截止

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第8题

用万用表R³100Ω挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（)。

A.两个PN结都被击穿

B.两个PN结都被烧坏

C.只有发射极被击穿

D.只有发射极被烧坏

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第9题

当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时，则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第10题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)

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第11题

在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（)

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

D.导体

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